небуферизованные DDR3-модули ёмкостью 16 Гбайт

I'M Intelligent Memory готовит первые небуферизованные DDR3-модули ёмкостью 16 Гбайт

Компания I'M Intelligent Memory, по сообщениям сетевых источников, начала пробные поставки небуферизованных модулей оперативной памяти DDR3 ёмкостью 16 Гбайт. Это позволит оснащать клиентские системы с четырьмя DIMM-слотами на материнской плате максимум 64 Гбайт ОЗУ.

В современных потребительских DDR3-модулях на 8 Гбайт используется 16 четырёхгигабитных микрочипов. Компании I'M Intelligent Memory, используя проприетарные технологии, удалось объединить два таких микрочипа в один. В результате новые DDR3-модули по-прежнему насчитывают 16 микрочипов памяти, но каждый из них имеет ёмкость 8 Гбит.
Изделия производятся с применением 30-нанометровой технологии. I'M Intelligent Memory отмечает, что другие компании вроде Hynix и Samsung освоят выпуск аналогичных DDR3-модулей ёмкостью 16 Гбайт, задействовав 25-нанометровый техпроцесс. При этом сама I'M Intelligent Memory может попытаться воспользоваться 25-нанометровой технологией для разработки небуферизованных DDR3-модулей объёмом 32 Гбайт.

Так или иначе, 16-гигабайтные изделия уже протестированы в клиентских системах, оснащённых процессорами AMD (в частности, FX-6300 и FX-8320) и материнскими платами на наборах логики 990FX, 760G и A75.
Массовое производство новых модулей памяти DIMM и SO-DIMM ёмкостью 16 Гбайт начнётся в марте или апреле: цена составит $320–$350.